一、基本情况
王雨薇，女，博士，副教授，硕士生导师，IEEE Member，中国电源学会会员，“国家电能变换与控制工程技术研究中心”成员，电力电子器件及应用研究团队骨干成员。主讲《数字电子技术基础》、《电工电子技术》等本科生专业核心课程，担任IEEE Electronic Device Letters、IEEE Electronic Device Letters等国际期刊审稿专家及SCI期刊Micromachines客座编辑。
二、教育经历
2024.01~至今 湖南大学，电气与信息工程学院，副教授
2020.11~2023.12湖南大学，电气与信息工程学院，助理教授
2018.10~2019.01 美国东北大学, 机械与工业工程系, 访问学者
2015.09~2020.07 北京大学，前沿交叉学科研究院，博士（直博）
2011.09~2015.07南京大学，物理学院，学士
三、研究方向
主要从事半导体器件及其产业应用方面的研究，包括：
（1） 功率半导体器件：宽禁带功率半导体器件的关键技术、可靠性及其在电力电子系统中的应用。
（2） 新型电真空器件：器件结构设计与工艺优化、系统集成及其应用。
（3） 智能传感系统：先进微型传感器的开发、系统集成及其应用。
团队科研环境自由、氛围轻松融洽，可与交叉学科背景的师生思想碰撞。学生有丰富企业与科研院的交流实习机会，就业前景良好。亦可推荐优秀学生赴合作高校（如北大、复旦、武大、北卡罗莱纳州立、德克萨斯大学奥斯丁分校等）交流或继续深造。欢迎电气、电子、材料、物理等学科的学生报考研究生！
（邮箱：yuweiwang@hnu.edu.cn）
四、近五年主要项目
1. 国自然青年基金：基于热氧化Si/AlN叠层的SiC MOS界面态抑制方法研究，主持。
2. 企业项目：碳化硅MOSFET芯片特性测试分析及栅氧可靠度建模，主持。
3. 军科委项目：基于xxx功率晶体管，课题主持。
4. 军科委项目：xxx抗辐照器件技术，课题主持。
5.企业项目：碳化硅栅氧测试与分析，主持。
6. 国自然联合基金：高性能高可靠性绝缘栅双极型晶体管的理论模型与设计方法研究，参与。
7. 工信息部项目：新能源汽车用碳化硅MOSFET芯片产业化项目，参与。
8. 企业项目：芯片式电子源与X射线源的研究，参与。
9. 南网项目：基于MEMS的微型智能集成传感技术研究，参与。
10.南网项目：高性能低功耗非制冷红外传感器及探测器研发，参与。
五、近五年主要论文
2024年
[1].Y. W. Wang*, C. X. Liu, J. Qiu, Y.D. He, Z. W. Li, P. Liu, X. L. Wei, “Micro-Pirani Pressure Sensor with Operation Range beyond Atmospheric Pressure based on Aligned Carbon Nanotube Films”,IEEE Electronic Device Letters, 2024, early access. (SCI)
[2]. H. N. Chen, K. H. Yu, J. Q. Ding, C. Z. Li, J. Wang,Y. W. Wang*, “Comprehensive Investigation of Gate Oxide Instability in 4H-SiC MOSFETs and MOS Capacitors Under High Gate Bias Stress”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(3): 1662-1669. (SCI)
2023年
[3].Y. W. Wang, Y. D. He, S. Y. Mao, et al. “A Miniaturized Ionization Vacuum Sensor Based on Thermionic Electron Emission from Carbon Nanotubes”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(6):2872-2875. (SCI)
[4]. K. H. Yu, Y. F. Liu, W. H. Zhang, H. N. Chen, C. Z. Li, J. Q. Ding, J. Wang,Y. W. Wang*, “Characterization of the Slow-State Traps in 4H–Sic P-Type MOS Capacitor by a Preconditioning Technique with High Positive Voltage Stress”,Micro and Nanostructures, 2023, 207506. (SCI)
[5]. L. Xiang, H. D. Ye, H. Wang,Y. W. Wang*, “Conformable Carbon Nanotube Thin Film Transistors on Ultrathin Flexible Substrates”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(6): 3106-3111. (SCI)
[6]. W. H. Zhang, M. G. Zhu, K. H. Yu, C. Z. Li, J. Wang, L. Xiang,Y. W. Wang*, “Impact of low dose radiation on nitrided lateral MOSFET and the related mechanisms”,Chinese Physics B, 2023. (SCI)
[7].Y. W. Wang*, S. Wang, H. D. Ye, W. H. Zhang, L. Xiang, “Negative Bias Temperature Instability in Top-Gated Carbon Nanotube Thin Film Transistors with Y2O3Gate Dielectric”,IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2023, 23(4): 571-576. (SCI)
[8]. F. Y. Zhan, T. Y. Zhu, Z. Yan, Z. Y. Hu, Z. W. Li,Y. W. Wang, X. L. Wei, “Tunable Electron Emission from Back-Gated SiOx Tunneling Diodes for Addressable Devices”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 71(1): 822-826. (SCI)
[9].K. H. Yu,Y. W. Wang*, J. Wang, “Characterization of SiC/SiO2Interface State under Different NO Annealing”,Materials Science Forum,2023, 1093: 95-99.(EI)
[10].Y. W. Wang*, X. L. Wei. “A MEMS-Type Hot-cathode Ionization Gauge with Carbon Nanotube-based Electron Emitters”,24thInternational Vacuum Electronics Conference, 26-28 April, 2023. (ISTP收录)
2022年
[11].L. Xiang, Y. R. Wang, F. Xia, F. Liu, D. L. He, G. H. Long, X. W. Zeng, X. L. Liang, C. H. Jin,Y. W. Wang,A. L. Pan, L. M. Peng, Y. F. Hu, “An epidermal electronic system for physiological information acquisition, processing, and storage with an integrated flash memory array”,Science Advances, 2022, 8(33): eabp8075. (SCI)
[12].Z. W. Li,Z. F. Zhang, G. T. Wu, J. M. Tian, Y. D. He, B. C. Yu, F. Y. Zhan,Y. W. Wang, et al. “Efficient and Dense Electron Emission from a SiO2Tunneling Diode with Low Poisoning Sensitivity”,Nano Letters, 2022，22(3), 1270-1277. (SCI)
[13]. H. Z. Liu, J. Wang, S. W. Liang, H. Y. Yu, H., G. Q. Deng, Wang,Y. W. Wang, Z. J. Shen, “Modeling and Analysis of SiC GTO Thyristor’s Dynamic Turn-On Transient”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(11), 6241-6248. (SCI)
2021年
[14]. S. W. Liang, H. Y. Yu, H. Z. Liu,Y. W. Wang, J. Wang, “A Novel SiC Power MOSFET with Integrated Polysi/SiC Heterojunction Freewheeling Diode”,Semiconductor Science and Technology, 2021. (SCI)
[15]. H. Y. Yu, S. W. Liang, J. Wang, X. Jiang, B. Wang, Y. Yang,Y. W. Wang, Y. Q. Chen, “Understanding the degradation of 1.2-kV planar-gate SiC MOSFETs under repetitive over-load current stress”,IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2021, 10(5): 5070-5080. (SCI)
2020年
[16].Y. W. Wang, L. Xiang, W. Yang, et al. “High-Performance On-chip Thermionic Electron Emitter Arrays Based on Super Aligned Carbon Nanotube Arrays”,Advanced Functional Materials, 2020, 1907814. (SCI)
[17].Y. W. Wang, W. C. Liu, L. Xiang, et al. “Wafer-Scale Fabricated On-Chip Thermionic Electron Source with an Integrated Extraction Gate”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(11):5132–5137. (SCI)
[18]. W. Yang, Z. W. Li,Y. W. Wang, et al. “High-Performance On-chip Electron Source Based on Electroformed Silicon Oxide”,Advanced Electronic Materials, 2020, 2000268. (SCI)
[19]. W. Yang, F. Y. Zhan, S. Q. Kong, Z. W. Li,Y. W. Wang, et al. “Choice of Si Doping Type for Optimizing the Performances of a SiOx-Based Tunneling Electron Source fabricated on SiOx/Si substrate”,Nano Express, 2020, 3(1). (SCI)
[20]. F. Y. Zhan, Z. W. Li,Y. W. Wang, et al. “A New Electron Emission Mechanism for On-Chip Electron Sources Based on Island Metal Films”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(11):5119 - 5124. (SCI)
